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半导体技术出乎意料的五个事件

上网日期: 2010年11月18日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:半导体技术? ARM技术大会? 浸润蚀刻?

本周举行的ARM技术大会上,IBM半导体研究与发展中心副总裁Gary Patton做了一场内容丰富、信息量很大的主题演讲。演讲题为“20纳米及未来的半导体技术创新”。Patton谈到了光刻、材料和未来设备的现状。下面是演讲中让笔者吃惊的地方:

1. EUV还没有准备好

很多一线芯片厂商已经由193nm“干”蚀刻法转为45纳米制程的193nm浸润蚀刻。英特尔公司是例外,这家芯片巨头转向32nm浸润蚀刻。芯片未来很可能在28nm和22nm节点采用双模技术实现193nm浸润蚀刻。

15/14nm节点,行业将会倚赖EUV光刻——13nm波长的软性X射线技术。

Patton在演讲中表示,“EUV本来寄望于14nm或11nm节点,15/14nm的时候如果技术就绪,EUV也将很有优势。”

在简短的采访中,Patton说EUV尚未成熟。这不是什么新闻。多年来,EUV由于光源、掩模、检查工具的问题而延迟。

让人吃惊的地方在于,到现在至少也该有些关于EUV现状的模糊概念了。时间不等人。三星电子希望在2012年将EUV用于存储芯片的生产。EUV设备的生产商ASML正努力在此时限之前推出自己的第一批产品。很多人都不认为ASML能够按期交货,这意味着三星等公司暂时还将继续使用普通光刻。

2.计算光刻(computational lithography)

计算光刻已受到了极大关注,但该技术曾经被认为只不过是科研项目,新闻报道也多于实际的应用。

现在为了将光刻延伸到22和20nm以下,IBM、Intel甚至EDA厂商都开始重视计算光刻技术了。每家厂商对该技术都有不同的叫法,在市场上也引起了一些混乱。

Patton表示,无论如何,22和20nm节点,芯片厂商可能不得不求助于包括整合式显影光源优化(SMO)、像素化掩模、定制透镜在内的计算光刻技术。

3. 高-K金属栅暂无进展

2007年11月,IBM与英特尔分别公布了自己用于gate stack的高-K/金属栅极技术。今天,英特尔将两代高-K投入生产。与之相反的是,业界还在等待IBM及其合作伙伴推出基于高-K的芯片。

IBM合作伙伴之一的三星现在宣布目前采用高-K介质的32纳米工艺制程正在酝酿。三星官方否认了面临困难的传言,表示高-K技术工作的“很好”。

IBM的另一家合作伙伴AMD公司在2011年上半年之前不会推出基于高-K的芯片。传言说AMD推出高-K技术芯片的时间延后到2011年下半年。这里有点不协调,在演讲中,Patton将高-k/金属栅极技术是堆栈门的启动者,但却没有提供这种技术的研究进度。


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