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三星电子筹划推动高-K介质的32nm制程

上网日期: 2010年11月12日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:高-K介质? 32nm制程? ARM技术大会?

日前召开的ARM技术大会上,三星电子传出消息,计划大力推动高-K介质的32nm制程。

今年6月,韩国三星表示自己的代工厂已经可以使用高-K/金属栅极技术,满足制造32nm低功耗制程的要求。三星即将成为首家符合高-k/金属栅极技术的代工厂。

据三星半导体公司代工业务部设计实现总裁Kuang-Kuo Lin透露,现在“制程和设计”都已就绪。

他还告诉《电子工程专辑》美国版和ARM技术大会,表示“就代工厂的高-k/金属栅极而言,我们走在前列。”

三星也是IBM公司晶圆俱乐部的成员。据报道,该俱乐部在高-k技术研发方面正面临困难。在简短采访中,Lin否认了这一报道,他说三星目前在高-k方面的努力“进展不错”。

Lin说,实际上三星对该工艺制程“兴趣很大”,代工客户包括苹果高通和赛灵思。

路线图的下一步是28nm制程。目前,Global Foundries和三星都将在2011年第一季度进入“可量产”阶段。

点击进入参考原文:Samsung: Ready for big foundry push, by Mark LaPedus

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