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ATMI与OVONYX宣布CVD锗锑碲化物PCM的商业化取得重大进展

上网日期: 2010年09月15日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:闪存? PCM? 存储器技术?

ATMI公司和Ovonyx公司日前宣布,双方在采用化学气相沉积(CVD)工艺商业化生产基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)方面取得突破性进展。两家企业正在合作开发的项目获得重大进步,该化学气相沉积生产的基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)不仅能够实现按比例缩小,而且是一种具有成本竞争力的存储器技术。由于具有独特的性能,相变存储器(PCM)是存储器体系中的新生代产品,且是NOR型闪存的替代性产品;PCM还能挤占相当大部分先进技术节点的DRAM的市场。

此项研究在高长宽比的相变存储器单元中实现了均匀沉积,与在可比的器件结构上溅射沉积GST 225相比,显示出了良好的电学特性。结果包括各种CVD合金的沉积,设定速度低于50纳秒(ns),典型耐受时间为108到1010个周期,100°C以上时数据保留时间为10年。最新合作研究的成果将作为同行评审的技术论文发表在九月份的《Electron Device Letters》上,重点介绍器件的电学性能。ATMI还将在欧洲\相变与Ovonics研讨会(E/PCOS)上宣读一篇关于化学气相沉积工艺的论文。

“基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)仍然显示出显着的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术,”ATMI的执行副总裁与微电子事业部总经理Tod Higinbotham表示,“不过,在实现更快速地按比例缩小的道路上存在的挑战之一,便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流的完全密闭单元。降低复位电流可降低存储器的耗电量,延长电池寿命和提高数据带宽,这对于当前以数据为中心的、高度便携式的消费设备来说都是很重要的特征。”

两家公司计划向半导体产业授权这些技术,ATMI将提供相关的前驱材料和沉积技术,进一步推动和促进PCM高性能存储应用的商业化。ATMI将于2010年第四季度在300mm晶圆上展示CVD GST技术。







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