电子工程专辑
UBM China

Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品

上网日期: 2010年05月25日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:超紧密薄型封装? MicroFET MOSFET? PowerTrench?

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出采用超紧密薄型封装的高性能MicroFET MOSFET系列产品,能够满足可携式产品设计人员对于效率更高、外形更小更薄的解决方案需求;透过飞兆先进的PowerTrench MOSFET制程技术,实现了更低功耗与传导损耗等性能优势。

由于此一先进的MicroFET MOSFET产品组合,设计人员便能挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的系列产品备有数种常用的拓扑选择,包括单P信道和萧特基二极管组合、单N信道和肖特基二极管组合、双P信道、双N信道、互补对(complementary pair)、单N信道和单P信道组件。

这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET制程技术,能够实现非常低的RDS(ON)、整体闸极电荷(QNsub>G)和米勒电荷(QGD),因而获得出色的传导和开关性能及热效率。相较于传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

飞兆快捷半导体可提供最广泛且具有增强热性能的超紧密薄型1.6mm×1.6mm和2mm×2mm MicroFET组件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET能够作为可携式应用的理想选择。







我来评论 - Fairchild推出超紧密薄型封装高性能MicroFET MOSFET系列产品
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X