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飞思卡尔推出四款单晶微波集成电路(MMIC)组件

上网日期: 2010年05月18日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:MMIC? 单晶微波集成电路? 砷化镓? GaAs?

飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)宣布推出四款单晶微波集成电路(MMIC)组件──MML09211H、MMA20312B、MMG15241H和MMG20271H,正式涉足砷化镓(GaAs)市场。这些组件可运用在无线网络的巨型基地台、中继器和超威型基地台。

这些组件强调低噪声放大器和传送功率放大器-超高射频(RF)的性能对这两个无线基础设备的基本组件极为关键。这些组件同时也为了低耗电而设计,如此可优化能源效率并维持长期可靠度。

MML09211H为增强模式的砷化镓应变式高电子迁移率晶体管(pHEMT) MMIC低噪声放大器,理想的应用范围从865~960MHz(兆赫)频带的W-CDMA基地台,到865~960MHz频带的高数据传输率的网络都适用。组件提供0.6dB特殊低噪声系数内含电路耗损,同时支持操作范围从400到1,400MHz,在900MHz小信号增益为20dB、P1dB输出功率为21dBm、绝缘时为-35dB以及在900MHz三阶输出截取点(IP3)为32dBm。

MMA20312B为两阶段的磷化铟镓HBT功率放大器,设计用于无线基地台以及中继器和超威型基地台。具体来说,此组件在超威型基地台上可实现高能源效率,同时满足线性需求。该放大器涵盖1,800~2,200MHz,在2,140MHz展现的P1dB输出功率为31dBm和26dB的小信号增益。

另外两款新型宽带MMIC放大器,同样适用在传送电路中作为驱动放大器使用,或在接收电路中作为第二阶段的低噪声放大器使用。比典型的HBT解决方案更具有出色的线性关系与低电流消耗。MMG15241H是pHEMT组件,涵盖500至2,800MHz,在2140MHz具有噪声系数为1.6dB、P1dB输出功率为24dBm、IP3为39dBm以及15dB的小信号增益。MMG20271H低噪声放大器涵盖1,500~2,400MHz,在2140MHz具有噪声系数为1.8dB、P1dB输出功率为28dBm、IP3为42.5dBm以及15dB的小信号增益。

配合这新款MMIC,飞思卡尔还为MMG3004NT1、MMG3005NT1和MMG3006NT1 GPA推出了应用板和RF特性数据数据。该应用板和数据数据,可以看出MMIC在实际基地台发射组件阵容的能力。最新的数据数据显示,组件的电流消耗可以从最初数据表在些微线性补偿的条件下,减少近50%。







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