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Fairchild推出高性能MicroFET MOSFET产品,可实现极低的RDS(ON)/QG/QGD

上网日期: 2010年05月11日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:MicroFET? PowerTrench? 肖特基二极管?

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)为满足便携产品设计人员不断寻求效率更高、外形更小更薄的解决方案的需求,推出采用超紧凑、薄型(1.6×1.6×0.55mm)封装的高性能MicroFET MOSFET产品系列。

设计人员使用这一行业领先的产品系列,能够挑选最适合其应用和设计需求的MicroFET MOSFET产品。新的产品系列备有数种常用的拓扑选择,包括单P沟道和肖特基二极管组合,单N沟道和肖特基二极管组合、双P沟道、双N沟道、互补对(complementary pair)、单N沟道和单P沟道器件。

这些MicroFET MOSFET采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术,能够实现非常低的RDS(ON)、总体栅极电荷(QG)和米勒电荷(QGD),从而获得出色的传导和开关性能及热效率。相比传统的MOSFET封装,其先进的MicroFET封装提供了出色的功耗和传导损耗特性。

 Fairchild推出高性能MicroFET MOSFET产品(电子工程专辑)

飞兆半导体提供业界最广泛的具有增强热性能的超紧凑薄型1.6×1.6mm和2×2mm MicroFET器件。这些易于使用、节省空间的高性能MOSFET是便携应用的理想选择。

价格:见下表

 Fairchild推出高性能MicroFET MOSFET产品(电子工程专辑)

供货:现提供样品

交货期:收到订单后12周







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