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瑞萨科技推出新型MOSFET,适用于隔离式DC/DC整流器

上网日期: 2009年12月31日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:整流器? 超高电容压敏电阻? 栅漏负载电容器(Qgd)?

不久前,瑞萨科技(Renesas Technologies)推出12款适用于隔离式DC/DC整流器的第十代功率MOSFET,适用于服务器、通信设备、工业设备等电源供应器。新推出的功率MOSFET可降低开关损耗,提升能源效率并涵盖多种电压范围(40V、60V、80V、100V)。

新推出的12款功率MOSFET采用瑞萨科技的0.18μm第十代工艺,并已针对此应用优化。相较于瑞萨科技过去的产品(RJK1056DPB,可承受 100V电压),栅漏负载电容器(Qgd)约降低50%。为了降低隔离式DC/DC整流器的耗电量,必须使功率MOSFET具有较低的栅漏负载电容器 (Qgd),栅漏负载电容器是达到较低开关耗损的关键因素。

隔离式DC/DC整流器的输入及输出电压,依据所采用之功率 MOSFET的电压耐受范围而定。在隔离组件方面,隔离式DC/DC整流器包含一个主要电源供应器做为输入端,以及次要电源供应器做为输出端。新款的功率 MOSFET包括承受电压80V及100V的产品,主要适用于输入端,另有承受电压40V及60V的产品,主要适用于输出端。

新款MOSFET采用瑞萨科技经过实证的LEPAK高效能封装,可同时提供较低的封装阻抗及优异的散热特性,避免组件过热。相较于传统的SOP-8或类似封装,此种封装本身有助于产品的低损耗特性。内部的连接与框架直接相连,可降低封装电感并确保适用于高频率运作。







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