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Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET SiE876DF

上网日期: 2009年09月05日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Vishay? SiE876DF? 电源?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件——SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封装,在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω,比市场上可供比较的最接近器件减小了13%。

Vishay发布低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET SiE876DF

N沟道SiE876DF的目标应用是工业型电源、马达控制电路、用于服务器和路由器的AC/DC电源,以及使用负载点(POL)功率转换的系统,还可以在更高电压的中间总线转换(IBC)设计中用做初级侧开关或次级侧整流。

在这些应用中,低导通电阻的SiE876DF可以产生更低的传导损耗,从而节约能源。除了TrenchFET硅技术对降低导通损耗的贡献外,PolarPAK封装的双面冷却还能为高电流应用提供更好的热性能,这样器件可以在更低的结温下工作。PolarPAK的引线框封装设计还能提高保护性能和可靠性,此外,由于硅片不是暴露在外的,这种封装还能简化制造过程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的,漏源电压等级低于150V,因此能简化PCB设计。SiE876DF还百分之百通过了Rg和UIS测试。

60V的SiE876DF现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十周至十二周。







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