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瞄准无线网络应用,飞思卡尔扩大RF功率晶体管产品阵容

上网日期: 2009年06月19日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Freescale? RF? 功率晶体管? MRFE6S9046N?

随着基于 LDMOS (laterally-diffused metal oxide semiconductor,横向扩散金属氧化物半导体)技术的三个高性能 RF 功率晶体管的推出,飞思卡尔(Freescale)半导体扩展了它在 GSM EDGE 无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能,使它们轻松集成到放大器内,同时可提供卓越的性能水平。

MRFE6S9046N (920 至 960 MHz)对于 GSM EDGE 的应用,MRFE6S9046N 的运行频率为 920 至 960 MHz,提供17.8 W 的平均 RF 功率输出,19 dB 的增益,效率高达 42.5%,且误差矢量幅度的均方根(RMS)值不超过2.1%。它内置在飞思卡尔超模压塑胶封装中,该封装是精确机械公差和成本效率的结合。此外,该封装是表面安装的,这使它能够支持自动化的制造流程。而且,增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化。内部输出匹配不仅在基本频率上实现了用户友好的终端阻抗,而且还包括赖以实现更高效率的第二和第三个谐波终端,以符合 F 级放大器的理论。

MRF8S9100H/HS(920 至 960 MHz) 与 MRF8S18120H/HS(1805 至 1880 MHz)这些 28 V 的器件专为 GSM 与 EDGE 系统中的 AB 级与 C 级的操作而设计。在 GSM EDGE 业务中,MRF8S9100H/HS 在 940 MHz 运行时提供 45 W的平均功率,19.1 dB 的增益,44%的效率以及均方根(RMS)值为2.0%的误差矢量幅度(EVM)。

在 GSM EDGE 业务中,MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 运行时提供 46 W的平均功率,18.2 dB 的增益,42%的效率以及均方根(EVM)值为1.7%的误差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 与 MRF8S18120H/HS 内置在结实的气腔陶瓷封装中。MRF8S9100H/HS 还能够在 GSM 800 频段中操作,而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 频段中的操作。所有这三个器件都是内部匹配的,以简化电路设计,符合 RoHS规范,并且还包含内部 ESD 保护电路。

定价和供货情况

MRFE6S9046N 现已成批生产,而且也可提供样品。MRF8S9100H/HS 与 MRF8S18120H/HS 现在也处于样品性能试验阶段,预计2009年7月全面投入生产。







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