电子工程专辑
UBM China

意法半导体创新高压晶体管技术,协助开发更可靠的高能效电源

上网日期: 2009年05月31日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:高压晶体管? STx7N95K3? 高能效电源?

功率半导体技术的世界领导者意法半导体推出全新系列功率MOSFET晶体管,新产品的击穿电压更高,抗涌流能力更强,电能损耗更低,特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源

STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品,此一新级别的产品特别适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。与竞争品牌的900V产品相比,意法半导体全新950V功率MOSFET的安全工作面积更大,可靠性更高。高压电源设计人员还可以使用一个 单一950V MOSFET取代双晶体管电路,从而简化电路设计,缩减尺寸,减少元器件数量。

此外,STx7N95K3系列的额定雪崩电流高于竞争产品,这个优势可确保产品能够承受高于击穿电压的电涌,因为过高的浪涌电流会烧毁器件。新产品的额定雪崩电流为9A,而实力最接近的竞争品牌的900V产品的额定雪崩电流大约只有1A。

除更强的耐高压能力外,STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化,导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%,设计人员可以提高功率密度及能效。

同时,因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容,这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能,这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件,以进一步提高能效和功率密度。

STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代SuperMESH3?技术。新产品采用工业标准封装:STF7N95K3采用 TO-220FP封装;STP7N95K3采用标准的TO-220封装;STW7N95K3采用TO-247封装。

随后将推出的新产品是:950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出这些产品后,意法半导体还将在2009年推出后续产品,包括850V、950V、1050V和1200V系列产品。

STx7N95K3系列已投产。

详情请访问:www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.







我来评论 - 意法半导体创新高压晶体管技术,协助开发更可靠的高能效电源
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X