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Diodes发布DMS2220LFDB和DMS2120LFWB,瞄准便携式充电应用

上网日期: 2009年05月18日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Diodes? 便携式充电设备? DMS2220LFDB? DMS2120LFWB?

Diodes公司应用的高热效率、超小型DFN封装的双器件组合技术,推出便携式充电设备的开关。

Diodes 亚太区技术市场总监梁后权指出,DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一个20V的P沟道增强模式MOSFET与一个配套二极管组合封装,提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020两种封装以供选择。DMP2160UFDB则把两个相同的MOSFET组合封装成DFN2020形式。

与传统便携式应用设计中常用的体积较大的3mm x 3mm封装相比,DFN2020节省了55%的PCB空间;仅0.5mm的板外高度,也比传统封装薄了50%,符合下一代产品设计的要求。用于这些封装的MOSFET均具有低栅电荷,在 1.8V VGS下的典型R DS(ON)为86m?,以确保开关及导通损耗最小。

为了进一步提升效率,应用于这些封装的二极管是Diodes自己的高性能超势垒整流器 (SBR)。凭借其仅有0.42V的典型低正向压降,SBR的功率损耗远低于传统肖特基二极管。







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