电子工程专辑
UBM China

新一代GaN基板技术出炉,有望提升LED制造良率

上网日期: 2009年04月22日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:外接式电源供应器? 交流电? 直流电?

一家由美国加州大学Santa Barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司Inlustra,宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极性(semipolar) GaN基板的制程技术。

Inlustra 目前正在扩充生产线,并已经开始接受客户的订单;该公司目前所提供的非极性GaN基板,其规格为5×10mm、10×20mm,不过在未来的9到12个月 内,可以将其制程扩展到2英吋。该公司的技术长Paul Fini在一份声明中表示:“我们的专利长晶技术可显著减少基板的缺陷数量,因而有助于客户提升组件量产时的良率。”

Inlustra的目标市场是LED相关应用领域;GaN材料对于绿色、蓝色、紫色,以及超紫外光产品十分重要。“更重要的是,GaN白光LED适用于普通照明,这将成为一种高效率、无毒性的日光灯与白炽灯泡替代品;可在未来20年内节省50亿桶石油。”该公司引述美国能源部的数据指出。

GaN 是LED的关键技术;根据Inlustra提供的资料:“GaN具有晶体结构,某些部分有强烈的方向性。该结构非极性和半极性的面引起了研究人员的浓厚兴 趣,希望能用以取代传统的极性GaN的c面(c-plane);因为后者正面临着一些基础性的组件效率限制。与传统GaN技术相较,非极性和半极性GaN 可以显着提高组件性能、制造良率与组件寿命。”







我来评论 - 新一代GaN基板技术出炉,有望提升LED制造良率
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X