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恒忆推出首款45nm MLC NOR闪存

上网日期: 2009年02月26日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:MLC NOR闪存? 45奈米? 手机?

恒忆(Numonyx)发表业界首款采用45奈米制程技术的MLC NOR闪存样本,可为客户提供高度的产品升级弹性和可靠度。新产品领先上一代 65 奈米产品,号称是目前市场最先进的 NOR 闪存,可广泛应用于执行手机中的重要作业,管理个人资料、储存相片、音乐和影片。

这款45奈米、1Gb单石(monolithic)组件基于Numonyx StrataFlash内存架构,与恒忆目前量产的65奈米NOR闪存芯片接脚兼容。产品架构的兼容性和升级弹性可协助手机 OEM 厂大幅降低开发成本,延长现有产品平台的生命周期,利用大容量储存和速度更快的内存立即执行 (execute-in-place) 功能,加速新产品上市时程。与上一代产品相比,新技术将资料写入速度可提高 50% 。

恒忆新产品采用新的自对准接触(SAC),不仅维持与过去产品的兼容性并兼顾高度可靠性和产品品质,同时使恒忆 NOR 闪存产品得以不断升级。恒忆目前正在针对特定的容量与数量进行新产品抽样,并预计于今年推出采用这项新技术的产品,2010 年开始量产。

恒忆更计画将此项技术应用至所有的嵌入式闪存解决方案,把升级弹性架构的效能优势、稳定性和可靠性扩展到主要嵌入式市场。







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