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Vishay推出业界最小的20V n通道功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK

上网日期: 2008年12月16日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:SiB800EDK? 肖特基二极管? MOSFET?

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET肖特基二极管 --- SiB800EDK,该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出,意味着 Vishay将其在 100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。

当便携式电子设备变得越来越小时,元件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积,Vishay的 SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封装的器件小 36%,同时具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番将两个元件整合到一个封装中不仅节省了空间,而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压,从而降低了电平位移应用中的压降。

SiB800EDK 具有0.960(1.5V VGS 时)~0.225(4.5V VGS 时)的低导通电阻范围。1.5 V 时的低导通电阻额定值可使 MOSFET 与低电平时的信号一同使用。

该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携式设备的 I2C 接口与升压转换器中的电平位移转换。

SiB800EDK 具有 ESD 保护,并且 100% 无铅(Pb),无卤素,以及符合 RoHS,因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。目前,新型 SiB800EDK 的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 10~12 周。







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