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ST发布SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管

上网日期: 2008年06月04日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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保护元器件的领导厂商意法半导体(ST)推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管,新系列产品在三个主要方面提高性能:在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温最大化以提升可靠性。

SMM4F系列产品电涌防护能力达到400W 10/1000微秒,封装尺寸紧凑,占板面积仅为3.8x1.9mm。SMM4F二极管的尺寸小于现有的SMA封装的400W产品,防护性能更比现有的SMF封装200W电涌保护器件提高一倍,虽然后者的规格比SMM4F二极管小10%。SMM4F系列的低功耗性能杰出,泄漏电流仅为0.2微安的,使新产品成为电池供电设备或其它低耗电量应用的理想选择。由于在85℃时最大泄漏电流为1微安,SMM4F系列产品同样适用于电信设备的电涌防护应用。

SMM4F系列产品共有14款,关断电压在5V到33V之间。需要浪涌抑制二极管的大多数应用,如开关电源、消费电子产品、计算机和电信设备,都能在其中找到适合的产品。每款产品的最高额定结温均为175℃,与额定结温通常只有150℃的传统产品相比,SMM4F系列产品的安全系数更高。

ST定义SMM4F系列产品其它参数特性,为设计工程师在各种工作条件下精确预测应用特性提供可靠数据。除10/1000微秒参数外,ST还提供8/20微秒的最大钳位电压和峰值功率电流,使设计工程师能够确认防护应用达到业界广泛接受的IEC61000-4-5标准。ST为设计工程师提供有关动态电阻、击穿电压随温度变化、泄漏电流对结温特性的精确数据。ST是市场上唯一提供这种信息的厂商,使设计工程师能够按照实际涌流和结温的比值精确计算钳位电压。

SMM4F系列产品采用RoHS标准无汞JEDEC注册STmite封装,样片已批量上市。

ST推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管







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