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NTT电子开发出可高速切换的InP类开关

上网日期: 2008年05月27日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:InP? 开关? 高速切换?

NTT电子(NEL)将开始样品供货可高速切换的InP(磷化铟)类1×4开关IC CI0706CH及8×8开关模块ELH0707AYY。据称该开关和模块能够以数μW左右的低功耗高速切换从数Gbps到40Gbps的宽频带电气信号,适用于路由器等高速网络设备、测量设备以及传送高清影像的毫米波无线通信设备等。

由于是采用FET的半导体开关,因此功耗几乎为零时也可工作,而且还可在基本保持原状态的情况下,输出作为模拟开关输入的信号,可在所有的信号协议及格式下使用,也可处理无线信号。另外,通过使用InP HEMT(高电子迁移率晶体管)元件,与原来由硅和砷化镓(GaAs)为材料的开关相比,可增加2倍以上的频带以及连接端子数。切换速度在使用LVTTL信号时的模块水平下为10ns以下。采用硅和砷化镓的FET时,其导通状态下的电阻和截止状态下的静电容量均很大,因此工作频带和端子数量受到限制。NEL以能够将导通状态下的电阻减至一半以下的InP HEMT为基础,开发可减小截止状态下静电容量的元件,从而减轻了上述限制。

凭借这些特点,例如在从无线摄像机等传送高清影像时,可高速选择由接收状态良好的天线发出的信号,因此可以轻松实现不间断的无线传输。

外形尺寸方面,CI0706CH为1.5mm×2mm,ELH0707AYY为10cm×11cm×3cm。售价方面,CI0706CH为13万日元,ELH0707AYY为250万日元。2008年6月1日起开始样品销售。







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