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ST新推快速恢复MOSFET晶体管STW55NM60ND

上网日期: 2008年05月16日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:FDmesh II? STW55NM60ND? MOSFET?

意法半导体(ST)推出超结FDmesh II系列快速恢复MOSFET晶体管新产品STW55NM60ND,为满足包括再生能源控制器在内的以能效为中心的应用需求,新产品在现有产品的基础上提高了开关性能,同时还使导通电阻实现超过18%的降幅。

STW55NM60ND是新的超结FDmesh II系列产品的首款产品,这是一款600V N沟道MOSFET晶体管,0.060欧姆的导通电阻,采用工业标准的TO-247封装。由于最大漏极电流达到51A,在对空间有严格要求的电信设备和服务器系统转换器中,可以用一个MOSFET晶体管替代多个标准器件。再加上降低的损耗实现更高的热管理效率,新产品让设计工程师大幅度提高功率密度。

为把这些改进的性能变为现实,ST对FDmesh超结架构进行了技术改进,在传统的带状MOSFET结构中融合垂直结构,同时还内置一个速度更快、可靠性更强的本征体二极管。除降低导通电阻和恢复时间外,通过降低栅电容、栅电荷和栅输入电阻,这些技术改良更能提高开关效率,降低驱动损耗。在开关期间提高的可靠性,特别是在桥式拓扑中,包括在低负载下的零压开关(ZVS)结构,使新产品具有很高的dv/dt值。

采用这项技术的未来产品还将提供更多的封装选择和电流性能,每款封装都让快速恢复MOSFET晶体管具有最低的导通电阻。其中,STP30NM60ND采用TO-220封装,额定漏极电流25A,导通电阻0.13欧姆;STD11NM60ND采用DPAK贴装封装,漏极电流10A,导通电阻0.45欧姆;ST的FDmesh II系列产品将不断推出新产品,以扩大电压和电流性能的选择范围,后续产品将采用业内标准的功率封装。

STW55NM60ND现在已开始量产。

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