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设计技术问答系列专题之九:用吉时利创新测试平台测试半导体参数

上网日期: 2008年05月09日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:测试平台? 吉时利? 半导体工艺?

Q1:我目前研究的课题是NBTI,目前在使用4200进行测试,请问使用使用4200最快的测试时间可以到达多快?

A1:如果用4200做测试,它的最快采样周期应该是大于10个毫秒,如果用ACS加2600,我们可以做到最快100个微妙的测试。

Q2:芯片越来越小,以后的晶片测试将如何完成?

A2:当芯片越来越小,对测试来说,会看到两个趋势,脉冲和快速的测试,脉冲主要是应对像SOI,High-K材料这样新工艺,对于快速测试来说,我们可能要应对NBTI或者是行进间的击穿这样的现象。

Q3:请问有否关于Mosfet 的好的性能检测方案?

A3:对于Mosfet来说,您可能需要一些手动参数的系统,吉时利4200是一个非常流行的好的解决方案,您可以通过4200配置若干个数字源表单元,就可以完成您的摩斯管的特定参数分析。

Q4:对于半导体器件寿命提前测试现今的主要手段是什么?

A4:目前最可靠的手段是WLR,传统的可靠性测试常常是在,把一个芯片分装作成成产品之后再做测试,在这种情况下,如果您发现芯片有寿命问题,在整个过程中,您花费的成本是非常大,我们现在往往会把可靠性测试往前提,就是说把它提到在芯片制造过程中,就可以做一些可靠性测试,对于像Mosfet,现在有一些标准的测试项目,像讲义中提到过的NBTI等,这些都是一些非常标准的WLR测试项目,然后可以通过对这些项目进行检测,就可以对半导体的寿命进行提前预测。

Q5:stress 是由加的电流电压的热效应引起的吗?

A5:在可靠性测试中所谓的stress指的是加电压或者是电流的偏压,在时间上维持一个周期。由于stress会引起器件的很多变化,以HCI为例子,stress会引起器件的特性参数漂移,造成器件的损伤,或者有stress引起的物理或者是化学的效应,热效应其实不是一个最主要的原因。

Q6:ACS 测试系统可以在高5度和低温-30度的环境下测试吗?测试数据准确度如何?

A6:我看到的测试系统,它能够支持很高的温度或者很低的温度,通常情况下,我们会将我们的仪器置于温度箱之外,就是说我们的测试器件,控制器,计算机都会放在外面,您可以把器件放在温度箱里或者探针台内。

Q7:请问在测试精度为uA时,测试的最少时间为多少?

A7:如果您要做一个微安测试,您可以在100微妙内完成。

Q8:我目前是4200的用户,我对PUISE非常感兴趣,请问4200的PIV最高能够输出多大电压脉冲?

A8:吉时利的PIV可以为客户做到最高72伏的电压脉冲输出。

来源: http://www.chinawebinar.com/STATICS/SITE/1H2008/KEITHLEY20080319.HTM

欲了解更多精彩研讨会技术Q&A,请登录:www.chinawebinar.com







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