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东芝开发出16Gb NAND闪存芯片技术采用43纳米工艺

上网日期: 2008年02月22日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:43纳米? CMOS? NAND?

东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位,日前宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术,这款闪存采用43纳米工艺技术制造,这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会(ISSCC)23.6讨论会上进行过详细报告。

这种新型16Gb产品的芯片大小约为120平方毫米,比东芝和SanDisk共同开发、采用56纳米工艺技术制造的同密度NAND闪存小30%左右。这款新品的存储单元聚集在平行排列的6?单元NAND串中,并且受其控制,存储单元的数量是56纳米产品的一倍,两端均配有一个虚设的字线单元,用于避免程序干扰。这种技术有助于减少选择栅的数量并且提高存储区的效率。同时,其对外围电路设计的改进可减小芯片体积:通过在电路中加入高压开关,减少字线驱动所需的控制栅驱动电路数量。这款产品的接地总线排布在存储单元阵列上。

东芝将从目前开始交运16Gb(2GB)单芯片、多层单元(MLC)NAND闪存的商品试样(这个容量是当前的主流密度),并且将从三月份开始进行批量生产。东芝计划于今年第三个季度(2008年7月-9月)的早期开始批量生产32Gb(4GB)NAND闪存。新的芯片将于2月4日开始在日本三重县东芝四日市工厂的最新300毫米晶圆加工厂进行生产。

结合先进工艺和MLC技术,不断提高生产效率,东芝打算以此增强其成本竞争力,满足NAND闪存市场的需求。






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