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ST微欧功率MOSFET晶体管提高并联服务器电源能效

上网日期: 2007年12月05日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:STV300NH02L? MOSFET? 电源?

意法半导体近日推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET,这款新产品的特性是导通电阻极低,达到微欧的水平,在要求严格的电源系统中,新产品有助于降低损耗,提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的,为了提高系统的可靠性,服务器广泛使用并联电源冗余结构。

ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术,典型导通电阻Rds(on) 极低,只有800微欧 (0.8毫欧),为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件,短路保护功能十分优越,关断时间极短。

关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源,或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管,现在,为了实现更高的性能,MOSFET取代了二极管。现在功耗低的STV300NH02L在电源效率上又向前迈出了一大步。

STV300NH02L采用PowerSO-10封装,订货1000件,单价4.50美元。






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