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凌力尔特发布高速同步N沟道MOSFET驱动器LTC4442/-1

上网日期: 2007年12月04日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:MOSFET? 驱动器? LTC4442/-1?

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出高速同步MOSFET驱动器LTC4442/-1,该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N沟道功率MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多DC/DC控制器组合使用时,可组成完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型DC/DC转换器。

这个强大的驱动器可以吸收高达5A电流和提供高达2.4A电流,非常适用于驱动大栅极电容、大电流 MOSFET。LTC4442/-1 还可以为较大电流应用驱动多个并联MOSFET。当驱动3000pF负载时,12ns快速上升时间以及高端MOSFET的8ns下降时间和低端MOSFET的5ns下降时间最大限度地降低了开关损耗。集成自适应贯通保护功能防止高端和低端MOSFET同时导通,从而最大限度地减少了死区时间。

LTC4442/-1具有一个用于电源级关断的三态PWM输入,它与所有具备三态输出功能的多相控制器兼容。另外,该器件有一个单独的电源,用于输入逻辑与控制器集成电路的信号摆幅匹配,并在驱动器和逻辑电源端有欠压闭锁电路。该器件还在 6.2V 至 9.5V 的范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极,并在电源电压高达 38V 时工作。LTC4442-1 版本有较高的 6.2V VCC 欠压闭锁,而不是 3.2V,用来驱动标准 5V 逻辑 N 沟道 MOSFET。

LTC4442/-1采用耐热增强型MSOP-8封装,在-40℃至85℃的温度范围内工作,以1,000 片为单位批量购买,每片价格为1.25美元。

性能概要:LTC4442/-1

·同步N沟道MOSFET驱动器

·高驱动电流:提供2.4A,吸收5A

·自适应零贯通保护

·高端MOSFET栅极:驱动 3000pF 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 8ns

·低端MOSFET栅极:驱动 3000pF 负载时,上升时间为 12ns,下降时间为 5ns

·3态PWM输入用于功率级关断

·38V最大电源电压

·6.2V至9.5V栅极驱动电压

·LTC4442的UVLO为3.2V

·LTC4442-1的UVLO为6.2V






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