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奥地利微电子代工业务全面扩展,将为用户提供CMOS、高压、高压FLASH和RF多项目晶圆服务

上网日期: 2007年11月22日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:晶圆代工? SiGe BiCMOS? 显示驱动器?

奥地利微电子晶圆代工厂业务部推出一份更加全面的2008年度时间表,扩展了其具有成本效益的、快速的专用集成电路(ASIC)原型服务,即所谓以多项目晶圆(MPW)或往复运行(shuttle run)。该服务将来自不同用户的若干设计结合在一个晶圆上,有助于众多不同的参与者分摊晶圆和掩膜成本。

奥地利微电子的MPW服务包括基于TSMC(台积电)0.35μm CMOS工艺的全程0.35μm尺寸工艺。兼容SiGe BiCMOS技术的CMOS有助于在一个ASIC中以高达10GHz的工作频率及高密度数字元件实现RF电路设计。0.35μm高压CMOS工艺系列包括非常适用于电源管理产品和显示驱动器的20V CMOS,以及为汽车和工业应用优化的50V CMOS工艺,能够满足客户的高压应用方案和产品需求。先进的嵌入了FLASH功能的高压CMOS工艺丰富了奥地利微电子MPW服务内容。通过与IBM联合开发,奥地利微电子首次在原型服务中提供了先进的0.18μm高压 CMOS技术H18 。H18工艺技术基于IBM业界公认的0.18μm CMOS工艺CMOS7RF,非常适用于手机、PDA、便携式媒体播放器以及其他移动设备中的智能电源管理IC。

2008年,奥地利微电子通过与CMP-TIMA、Europractice、 Fraunhofer IIS 和MOSIS等公司的长期持续性合作,将有150多个MPW启动日期。

为了获得MPW服务的优势,奥地利微电子的代工客户需要在特定日期提交其GDSII数据,可在较短的交货时间内收到未经测试的封装样品或裸片,CMOS通常为8周, 0.35μm高压CMOS、SiGe-BiCMOS和嵌入式FLASH工艺为10周。所有 0.35μm MPW 均采用奥地利微电子位于奥地利的先进8英寸晶圆制造设备生产。

所有工艺技术均得到了HIT-Kit的支持。该套件是基于Cadence、Mentor Graphics或Agilent ADS设计环境的先进工艺设计套件,包含了全面的硅认证标准单元、外围元件、通用模拟元件,如比较器、运算放大器、低功耗A/D和D/A转换器。定制模拟和RF器件、Assura和Calibre物理验证规则集,以及具有卓越特性的电路仿真模型,均有助于复杂的高性能混合信号集成电路设计的快速启动。除了标准原型服务之外,奥地利微电子还提供模拟IP模块、存储器(RAM/ROM)生成服务和陶瓷或塑料封装服务。

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