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DRAM市场曙光初露,08年需求成长有望逾四成

上网日期: 2007年11月15日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:内存? 报告? eTT? DRAM?

根据集邦科技(DRAMeXchange)日前发表的内存市场调查报告显示,10月22~29日现货市场eTT颗粒价格短期反弹至高点后开始拉回,DDR2 512Mb eTT收在1.05美元,跌幅约10.2%;而品牌颗粒并未受影响,跌幅仅有5.8%。

就市场面观察,这次跌价的原因,主要是DDR2 eTT的供给大量开出、买气缩手,加上本周适逢月底做帐,买方除非有订单在手,否则不会进场买货,以及上周所释出的DDR2 eTT颗粒尚未消化完毕;因此集邦科技预测,DDR2 eTT颗粒将会很快再回探并逼近1美元的价位。

在PC需求方面,受到整体性的需求不佳与次级房贷的影响,第四季出货量将比往年同期衰退5%,然而在DRAM厂尚未达成减产的共识下,11月份合约价将有可能持续走低。但由于合约价在10月已下跌颇深,DRAM厂不愿意再大幅降价。预计11月、12月合约价继续下跌幅度有限。

集邦科技最新研究报告指出,明年DRAM厂于DRAM资本支出将下降20%~25% YoY,而12吋厂产能的扩张也减缓,主要产能扩张来自台系厂如南科、茂德、瑞晶;而国际大厂主要产出增加来自70nm或更先进制程的转进;至于韩系厂商Samsung及Hynix虽表示明年在DRAM产能没有扩张的计划,但以其制程转进能力,三星仍预期明年DRAM供给位成长70%。整体而言,集邦科技预估明年DRAM供给位成长约50%,DRAM需求成长约40%。

10月下旬NAND Flash合约价平均下跌约0~10%左右,主要是因为下游厂商目前仍在积极的促销降价活动,藉此降低库存水位,再来进行年底旺季的备货,使得10月份下游客户的补货量较小;其中8Gb以上的MLC NAND Flash产品供货量,随着厂商5X nm制程的产出量增加,所以跌幅较其它NAND Flash的产品稍大。集邦科技并预期11月份厂商库存及客户年底需求状况将会进一步改善,而NAND Flash合约价价格届时将会比较持稳。






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