电子工程专辑
UBM China

Vishay推出TrenchFET功率MOSFET,面向OR-ing应用

上网日期: 2007年11月13日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:OR-ing? TrenchFET? MOSFET?

Vishay推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET,这些器件具有三种封装选择,可提供最佳的导通电阻性能,凭借这三款器件,公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中,OR-ing功能可在主电源出现故障时接通冗余电源,以确保为系统持续供电。由于MOSFET承载来自正在运行的电源的整个负载,因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。

日前推出的这三款N通道MOSFET具有20V漏极到源极与栅极到源极额定值,并且在SO-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比,这些Vishay Siliconix功率MOSFET的导通电阻性能比市场上具有相同电压规格及封装类型的仅次之的器件低36%。设计人员将根据他们应用的具体电路及热要求,从日前推出的这三款TrenchFET第二代器件中进行选择。

与采用SO-8封装的任何类似功率MOSFET相比,新型Si4398DY的导通电阻低36%,在10V时rDS(on)额定值为2.8毫欧。除OR-ing应用外,Si4398DY还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源,在采用SO-8封装的器件中,Si4398DY具有最佳的rDS(on)额定值。当功率增加时,采用热增强型封装的功率MOSFET可在相同占位面积中传导更多电流,从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中,这可实现通过12V的轨电压拓扑结构增加功率密度。

为在静止空气环境中实现最佳散热效果,Vishay正在推出采用热增强型PowerPAK SO-8封装的Si7866ADP。Si7866ADP在10V时最大额定导通电阻值为2.4毫欧,该器件将低传导损耗与强大可靠的热性能进行了完美结合。最大结到外壳热阻为1.5℃/W,而标准SO-8提供的结到脚(junction-to-foot)热阻为16℃/W。除OR-ing外,其目标应用还包括台式机电脑中的同步降压转换器以及低输出电压同步整流。

对于使用风冷装置的实施,先前推出的采用PolarPAK封装的SiE808DF(有两个散热通道,分别位于该器件的顶部与底部)具有比仅次之的采用双面冷却的器件低20%的导通电阻。在10V时,其超低的最大rDS(on)额定值为1.5毫欧。

目前,Si4398DY、Si7866ADP及SiE808DF的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为12~14周。

海量经典设计资料免费下载






我来评论 - Vishay推出TrenchFET功率MOSFET,面向OR-ing应用
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X