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Zetex发布三款针对有限驱动电压应用设计的MOSFET

上网日期: 2007年10月30日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:超低栅极驱动? MOSFET? 有限驱动电压? ZXMN2B03E6?

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N沟道增强模式MOSFET。

这三款新产品分别为20V的ZXMN2B03E6(SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2V电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

三款新MOSFET可确保1.8VGS条件下的导通电阻(RDS(ON))分别低于75毫欧(mΩ)、100毫欧(mΩ)和200毫欧(mΩ),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关,以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。

快速开关性能是Zetex专有UMOS技术的另一个主要功能。例如ZXMN2B01F在VGS=4.5V和ID=1A的情况下,上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。







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