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东芝公司采用纳米注入蚀刻技术开发22nm器件

上网日期: 2007年10月26日 ?? 作者: Mark LaPedus ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:纳米注入蚀刻技术? MII? 远紫外线(EUV)技术?

Molecular Imprints Inc.(MII)声称东芝公司已经确认在开发22nm CMOS器件的过程中采用其纳米注入蚀刻技术

目前尚不清楚东芝公司是否将把纳米注入工具集成到它的22纳米及以上工艺的生产厂中。在这个节点,东芝还开发了其它的蚀刻技术,如193纳米沉浸和远紫外线(EUV)技术。

MII尝试了EUV技术。“与远紫外蚀刻不同,我们的技术构建在现有的光刻基础设施之上,有助于使之适合于经济地生产非常高密度的CMOS器件,”MII公司首席执行官Mark Melliar-Smith在一次发言中说。

“我相信我们先进的S-FIL技术是用于32纳米关键器件层应用的可行解决方案,并且是在22纳米及以上工艺节点的更高级的解决方案,”他说。S-FIL时MII的纳米注入技术。

MII和东芝公司携手研究已经有一段时间。研究工作中的成果在一篇题为“Nanoimprint Applications Toward 22-nm Node CMOS Devices(向着22纳米节点CMOS器件的纳米注入应用)”的论文中做了介绍。该论文发表在于丹麦哥本哈根举行的第33届国际微米和纳米工程研讨会(MNE)上。

“东芝公司利用MII的Imprio 250系统来模仿18纳米隔离特征和24纳米密集特征,并具有 <1-nm 的关键尺寸一致性和<2-nm线边缘粗糙度(LER),”据MII的论文说。






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