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Jazz推出0.18微米平台,取消独立GaAs前端

上网日期: 2007年10月17日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:射频? BiCMOS? GaAs前端?

近日在德国慕尼黑举行的微波周上,美国代工服务提供商Jazz半导体公司宣布其0.18微米平台开始供货。该公司表示,利用这种平台,客户能够把整个RF前端集成到它们的芯片之中,取消了昂贵的独立GaAs前端。

Jazz公司的销售和市场副总裁Chuck Fox解释道,该平台包括一种增强的RF CMOS工艺、一种BiCMOS DMOS高压工艺和一种SiGe BiCMOS高性能工艺。此外,该公司提供四种可选的硅射频模块,其中,采用了SOI封装、集成无源器件、SiGe LNA工艺技术、LDMOS和SiGe PA技术。因为在模拟RF环境的细节支持是至关重要的,Jazz半导体提供这种支持。对于各自的设计工具,Jazz与Cadence保持密切的合作。

Fox表示,“我们的消息就是:如果客户选择把RF器件集成到芯片之中,他们就能够节省多达50%的混合信号产品的成本。利用该工艺就能够生产高度集成的蜂窝电话、WLAN和WiMAX芯片。潜在的客户是IDM以及为他们的垄断市场生产某种芯片的系统供应商。”






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