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Vishay发布新系列P通道MOSFET,具低导通电阻

上网日期: 2007年10月16日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:MOSFET? P通道? 导通电阻?

Vishay宣布推出新系列P通道MOSFET,这些器件建立了Vishay每单位面积最低导通电阻的新记录。

基于新一代TrenchFET芯片技术的新型Vishay Siliconix器件采用PowerPAK SC-70封装(2.05mm×2.05mm)时最大导通电阻额定值为29毫欧,采用标准SC-70封装(2.0mm×2.1mm)时为80毫欧,采用SC-8?封装(1.6mm×1.6mm)时为130毫欧。与市场上的MOSFET相比,这些新型Vishay Siliconix器件的规格表现了高达63%的改进。

这些新型P通道TrenchFET将用于手机、MP3播放器、PDA及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、PA开关及电池开关,在这些应用中,它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间,它们的微型封装将节省宝贵的板面空间,从而实现更多功能。

在便携式电子系统中,通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们,或将系统从活动模式切换到睡眠模式,P通道MOSFET执行基本功能,从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时,这些新型Vishay Siliconix器件的功耗很低,因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。

日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V击穿电压额定值的单通道器件。这些器件采用6引脚SC-8?、标准SC-70及PowerPAK SC-70封装,所有封装均无铅符合当今的环保要求。

目前,这些新型P通道TrenchFET功率MOSFET的样品和量产批量均可提供,大宗订单的供货周期为12~14周。

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