订阅电子快讯
低边自保护MOSFET
上网日期:
2007年08月03日
??
我来评论
字号:放大 | 缩小
分享到：
打开微信“扫一扫”，打开网页后点击屏幕右上角分享按钮
 |
|
| 1.扫描左侧二维码 | |
 | |
| 2.点击右上角的分享按钮 | |
 | |
| 3.选择分享给朋友 |
作者：Don Zaremba，ON Semiconductor
汽车和工业控制电子产品日益增加的密度和复杂性，要求达到尽可能高的元器件集成水平，以便节省空间、降低成本并提高可靠性。带电源开关的保护功能的集成，继续推动着新产品的开发。由于汽车和工业电子产品的开放式环境，常常发生瞬时电压、高功率、高感性负载、各种外部连接以及人为干扰，让故障保护电路成为必需。功率MOSFET处理技术的发展使限流等保护功能和标准MOSFET功率晶体管开关结合到了一起。本文将讨论ON Semiconductor公司的HDPlus单片低边智能MOSFET系列产品的技术和工作原理。
……
评论最多文章
- 高通向儿童节献礼，首款针对儿童智能手...?( 24 )
- 苏州快捷半导体员工罢 工，抗议被收购...?( 13 )
- 手环向左手表向右，智能穿戴市场迎来第...?( 12 )
- 魅蓝3S身披金甲来袭，模糊了千元与旗舰...?( 9 )
- 中国互联网企业只会在乎这两件事……?( 6 )
- 大疆自办无人机培训班，可15天急速拿飞...?( 5 )
- 一言不合就免费：法国乔布斯的“无教师...?( 5 )
- 小米手环2悄悄地发布了：触屏手环中续...?( 5 )
- Oculus华人工程师驳美军专家“VR难成功...?( 5 )
- 谷歌要对不积极更新安卓版本的手机厂商...?( 5 )
精彩图集
?
关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”
访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态，请扫描以下二维码
?
5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途， 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低，同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展，以及在4G网络上有怎样的进步。
?
网友推荐相关文章
- 可同时驱动IGBT和MOSFET、带磁感双向通信的SCALE-iDriver问世 (2016-06-13)
- Intersil收购Great Wall半导体，增强功率MOSFET实力 (2015-09-16)
- 从平面到立体，SiC-MOSFET工艺实现重大革新 (2015-07-02)
- GaN功率器件价格终于看齐MOSFET，你会用吗？ (2015-05-08)
- IR针对锂离子电池保护推出全新功率MOSFET (2014-12-04)
- ST发布全新650V超结MOSFET (2014-12-03)
- IR工业用StrongIRFET系列新增75V MOSFET (2014-11-14)
- IR新增StrongIRFET MOSFET系列成员 (2014-10-29)
- IR新型功率MOSFET为小功率电机提供基准性能 (2014-10-14)
- 高压MOSFET与IGBT SPICE模型 (2014-07-09)
?
新闻大爆炸
特别策划
?
有问题请反馈
Copyright ? 2016 
本网站所有内容均受版权保护。
未经版权所有人明确的书面许可，不得以任何方式或媒体翻印或转载本网站的部分或全部内容。
本网站所有内容均受版权保护。未经版权所有人明确的书面许可，不得以任何方式或媒体翻印或转载本网站的部分或全部内容。
(您将以游客身份发表，请登录 | 注册)