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WLP技术+90nm工艺:打造800MHz 2G DDR2内存!

上网日期: 2007年02月08日 ?? 作者: Sean Shim ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:DDR2内存? WLP? 90纳米工艺?

Hynix半导体公司开发出2GB DDR2内存模块,运行速度达800MHz,据该公司称,这款产品为行业同类产品中的佼佼者。Hynix表示能利用先进的晶圆级封装技术(WLP)生产用于个人电脑的改良模块。

用WLP技术,裸片和封装在冲切成型前在晶圆上被加工和测试,有别于所有其它类型的封装。安装到印刷电路板或其它衬底上时,封装占据的面积就是裸片大小。

Hynix称,WLP技术可减少20%以上的制造成本。该公司还补充说,新模块工作非常稳定,发热、速度和功率特性得到改进,适合用于需要较高数据传输的器件。Hynix声称其DDR2无需通常与其它元件相连所需的引脚,从而减少了信号延迟,增加了运行速度。

此外,由于满足Jedec固态技术协会的标准,该内存模块的元件能被用于当前商用存储模块。

这款2GB DDR2基于90纳米工艺技术。该公司一位发言人表示:“WLP技术还将用于60纳米1Gb DDR2 DRAM。”Hynix上月透露将开发60纳米1GB DDR2 DRAM芯片,该公司表示将继续增强60纳米工艺,将来用于高密度DRAM元件和高性能产品如图形和移动DRAM。

Hynix是经过英特尔1GB DDR2 DRAM元件验证的首个DRAM供应商。据称采用该元件的模块目前正在接受评测。






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