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高密度+低耗能,惠普取得FPGA技术新突破

上网日期: 2007年01月24日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:FPGA? 现场可编程纳米线互联? CMOS?

惠普近日宣布在FPGA技术上取得了突破,能把现场可编程门阵列(FPGA)的密度较提高8倍,而且能耗还更低。这一技术要求将一个纳米级纵横交换结构置于传统CMOS制程的顶层,惠普将这一技术称为“现场可编程纳米线互联”技术,是当前的FPGA技术的一种变体。

研究人员展示了一款采用15纳米宽交叉线和45纳米半间距CMOS的芯片模型,并表示这款芯片将于2010年问世。此外,惠普还展示了一款采用4.5纳米宽交叉线的模型,而这一芯片则将于2020年问世。这个结合了45纳米CMOS的4.5纳米交叉结构将可以用来生产大小只有纯CMOS方案45纳米FPGA的4%的混合式FPGA。尽管时钟速度可能会下降,但是每次计算的能耗也会下降。

在FPNI方案中,所有的逻辑操作都在CMOS中进行,其中电路中的大部分信号路由都由晶体管层上部的一个交叉来进行。惠普指出,由于传统的FPGA都使用80%-90%的CMOS用于信号路由,FPNI就显得更为高效,而且与传统的FPGA相比,FPNI实际上用于执行逻辑的晶体管密度更高,同时信号路由所需的电能功率则更低。

研究人员表示,由于交叉结构中纳米线和开关的尺寸过于微小,产品不良率可能会相对较高。但是,借助于交叉互联研究人员就可以绕过缺陷。

据悉,这些研究人员的模拟结果显示,FPNI芯片中哪怕只有20%的纳米线,都能实现75%的生产率,而且不会牺牲太多的性能,因此在生产的经济角度上这种技术是绝对可行的。






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