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NROM与先进工艺完美结合,SUNFUN、中芯国际共谋8GB闪存技术

上网日期: 2006年11月24日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:NROM技术? 闪存? 嵌入式?

中芯国际集成电路制造有限公司和非挥发性内存(NVM)技术提供商SAIFUN半导体日前共同宣布将采用中芯先进工艺技术合作生产8GB数据闪存。这一基于SUNFUN嵌入式NROM技术和设计而成的独特产品,将有望于2008年进入市场。

SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元四位元技术突破现有的非挥发性内存技术,比常规存储器容量增加一倍,结构却更为简单,从而需要更少的制造步骤,降低了生产成本。采用中芯先进工艺的8GB数据闪存的发展体现了嵌入式NROM的优势,使最具成本效益的闪存制造得以实现。它将使中芯凭借非常可靠和高性能的产品进入极具挑战的闪存市场。

中芯旨在提供一个全面闪存产品,从而进军中国乃至全球新兴电子消费市场。其现已基于SAIFUN嵌入式NROM每基本存储单元二位元技术产出第一批2GB NAND闪存产品的工程样本,计划于2006年底开始量产。

“我们很高兴能进一步与中芯国际合作,使最先进的闪存产品推向市场”,SAIFUN半导体公司董事长兼首席执行官Kobi Rozengarten先生表示,“我们相信,中芯的创新与努力,结合SAIFUN的独特NROM技术,将使两家公司成为利润可观的数据市场的佼佼者。”

“我们很高兴能与SAIFUN进一步拓展我们的伙伴关系,进入更先进的闪存技术。这再次证明了我们提升闪存产品的共同承诺,”中芯国际总裁兼首席执行官张汝京博士表示,“我们相信,凭借SAIFUN的前沿技术开发和中芯可靠先进的制造能力,将进一步加强我们在闪存市场的地位。”






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