电子工程专辑
UBM China

Qimonda“登峰造极”,欲推58纳米DRAM制造工艺技术

上网日期: 2006年09月12日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:Qimonda AG? DRAM? 58纳米?

内存制造商Qimonda AG的工程师日前表示,该公司计划在2006年12月旧金山举行的IEEE国际电子设备会议(IEDM)上,就58纳米DRAM制造工艺技术进行演讲报告。

Qimonda的研究人员预计将展示完整的58纳米过程技术,他们曾经用将此技术于制造512Mb容量DRAM,工作电压为1.2V和1.35V之间,存取时间支持每通道数据率3.2Gbps。根据报告摘要显示,这个DRAM技术具有一个扩展的U形单元结构,一种金属绝缘体硅沟状电容,带有不导电的高k门电路,k=2.8的绝缘体用于末端互连。

目前,生产DRAM内存具有实用价值的最先进工艺为70纳米至80纳米范围。三星电子宣称,开始在2006年8月使用80纳米工艺批量生产1GB容量DRAM内存。

Qimonda于2006年8月从母公司英飞凌中分离出来,将内存制造业务通过IPO而成立。






我来评论 - Qimonda“登峰造极”,欲推58纳米DRAM制造工艺技术
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X