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IR新推三款25V DirectFET MOSFET,减少开关/传导损耗

上网日期: 2006年08月10日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:IR? MOSFET? IRF6622? IRF6628?

国际整流器公司近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET,包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628IRF6629同步MOSFET,主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块,以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果,从而提高功率密度。

IR中国销售总监严国富指出:“与20V器件相比,新型25V DirectFET器件可提供更充分的电压裕量,更符合12V应用的需要。而且与同样有源硅片面积的30V器件相比, 25V器件可以减少功耗。”

IRF6622控制MOSFET的栅极电荷很低(Qg=12nC),有助减少开关损耗。经过优化的IRF6628和IRF6629同步MOSFET,不但传导损耗低,导通电阻RDS(on)也很低,分别只有1.9mOhms和1.6mOhms。IRF6622 采用小罐式DirectFET封装及SQ占板面积;而IRF6628和IRF6629则采用中罐式DirectFET封装及MX占板面积。

新型25V DirectFET是专为每相位20A到30A的器件设计的。在12VIN、1.3VOUT、300kHz的5相位设计中,如果每相位采用1对IRF6622和IRF6628,再配合IR XPhase芯片组,那么在130A下即可实现88%的效率。在相同条件下,IRF6622和IRF6629的组合效率更高,在130A时可达88.5%。






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