电子工程专辑
UBM China

IR“同步降压式转换器芯片组”问世,实现更高转换性能

上网日期: 2006年08月02日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:IRF6631? IRF6638? MOSFET? DirectFET MOSFET?

国际整流器公司近日推出全新30V同步降压式转换器芯片组,其中包括IRF6631控制MOSFET和IRF6638同步MOSFET。该芯片组采用双面冷却的IR基准DirectFET封装和最新的HEXFET MOSFET技术,可以在中电流水平(低于18安培)实现更高的效率和散热表现。其应用包括先进笔记本电脑、台式电脑、电信和数据通信,以及需要细小、高效及更好的导热效果来提高功率密度的通用同步降压式设计。

IR中国销售总监严国富指出:“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小,快捷开关,及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率,还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。”

该芯片组的每个器件都是为了使同步DC-DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗,而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。

IRF6631控制FET的栅极电荷为12nC,电阻栅极电荷(99.6 mohmsnC)优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步FET在4.5V时可提供3.0mohm的典型导通电阻,在保持同一栅极电荷时,比现有的器件减少了12%。

IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却,使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外,采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制(RoHS)规定。

供货和报价

IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现在就可以从IR处获得,10k供货的单价分别是$0.65和$1.05。






我来评论 - IR“同步降压式转换器芯片组”问世,实现更高转换性能
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

网友推荐相关文章
?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X