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化合物半导体太阳能电池渐热,本田新厂2007实现量产

上网日期: 2006年07月10日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:本田? 太阳能电池? 结晶硅? 化合物半导体电池?

本田年产规模达27.5MW的新工厂将于2007年投入生产。该公司2005年底开始在宫崎县田野町尾胁高新技术工业园区建设太阳能电池量产厂,计划2007年1月开工投产。年产量为20MW。由于目前主流的结晶硅太阳能电池原料——多晶硅材料日趋匮乏,因此今后准备量产有望成为替代性能源的化合物半导体太阳能电池。

该公司研究开发部规划管理科的西村隆雄表示,“化合物半导体电池的发电层厚度为2μm,远远要比结晶硅型的100~200μm薄得多。由于材料用量少,因此原料成本就便宜,其原料为铜(Cu)、铟(In)、硒(Se),取每种材料的头一个字母,将其命名为“CIS(Copper,Indium,Selenium)”。

计划量产的是30cm×120cm及60cm×120cm的面板。同时还在研究更大尺寸的面板,不过据称尚未实现膜的均匀特性。太阳能电池面板的转换效率计划在量产之前提高到12~13%。西村表示:“CIS太阳能电池的特点是抗紫外线,甚至已经用在人造卫星上。再加上颜色是黑的,因此外观不像是太阳能电池,可设计性也非常不错。”除工业领域外,还准备积极地开拓家用市场。






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