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Zetex新款MOSFET满足高功率低功耗要求

上网日期: 2006年07月05日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:MOSFET? D类音频放大器? RDS? 低导通电阻?

Zetex Semiconductors日前推出ZXM N/P 7系列沟道MOSFET,提供D类输出级所需的高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些N及P信道器件的额定电压为70V,设有SOT223和DPAK封装,能在平面电视、5.1环回立体声系统等功率更高的音频应用中实现安全可靠的操作。各款器件皆可适配采用互补性或全N信道MOSFET配置的单端及桥接式负载输出级。

据介绍,ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源电压,相比于60V零件,能为设计人员提供额外空间,适应电源与门振铃的大幅变化。器件的导通电阻甚低,在10V电压下N、P信道器件的导通电阻一般分别只有130mΩ和160mΩ,因此可以经常保持低损耗,达到高效率操作和理想的散热效果。

该系列MOSFET把低导通电阻RDS(on)与快速切换及低闸电荷特性相结合,有助优化输出级效率,在设计完备的电路中效率可达90%以上。这些N信道和P信道器件,在10V操作环境中的关断时间和闸漏极电荷分别为17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。

此外,新型MOSFET能妥善处理高漏极电流,在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低,因此可在需要更高负载功率的应用中,把场效应管并行设置。N信道器件采用SOT223和DPAK封装时的最大漏极电流分别为3.8和6.1安培,P信道则分别为3.7和5.7安培。






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