电子工程专辑
UBM China

安森美MOSFET产品系列采用强化散热的超小型WDFN6封装

上网日期: 2006年06月07日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:MOSFET? 功率MOSFET? WDFN6封装?

安森美半导体(ON Semiconductor)为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求,近日推出了应用于便携式产品的新功率MOSFET产品μCool系列,新推出的首6款μCool器件采用强化散热的超小型2mm x 2mm WDFN6封装。

安森美半导的μCool功率MOSFET产品系列。

安森美半导体功率MOSFET产品市场营销总监高天宝(Thibault Kassir)表示: “我们设计μCool产品系列的主要目的是解决便携式设备,例如锂离子电池充电电路、高、低电压端负载开关以及同步升降压电路中所面临的独特电源管理问题。这些新的μCool器件只是一个开端,我们将陆续提供一系列采用我们最新沟槽式技术的产品,工作电压范围由8V到30V,并提供各种不同配置,包括单一、双、FETKy、互补与集成型负载开关。”

新推出的6款μCool(tm)产品采用外露漏极DFN封装技术,可以在极小的4m×4m面积上取得卓越的热阻(38oC/W)与额定功率(1.9W),额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190%,比SD-70-6扁平引脚封装提供高了130%。由功率的角度来看,采用WDFN6封装的μCool器件能更有效益的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。

虽然新推出的μCool功率MOSFET系列拥有与标准SC-88和SC-70-6封装相同的占位面积,但是安森美半导体的最新MOSFET产品提供了更多性能,它在底面露出一个可以做为漏极接点以及散热路径的连接面,强化后的散热路径能处理更高功率或在更低接点温度工作。这些选择在采用电池运作的设备上更为重要,因为更低的接点温度也就代表了更低的导通电阻RDS(on)或更少的功耗,也就是说可以延长电池的使用时间,而这正是手机、数字相机,便携式游戏机、便携式全球定位系统或任何采用电池运作的消费电子产品在考虑许多功耗问题时的一个极重要因素。

安森美半导体便携式应用MOSFET产品市场营销经理Tom Zemites表示: “μCool产品系列在便携式产品应用上不论是尺寸、热阻及额定功率上的表现都相当优异,尤其是与较大尺寸封装,如Micro-8、TSOP-6 与ChipFET等比较时。我们为业界带来了能够让设计工程师在不牺牲效能的情况下大幅缩小电路板占用空间的更小型化功率封装。”

这6款新μCool功率MOSFET器件现已提供样品并已批量生产,较大数量订单的供货周期为6-8周。

20VP-通道单NTLJS3113PT1G与双NTLJD3115PT1G均经优化, 适用于锂离子电池充电应用,在4.5V时导通电阻RDS(on)分别为42mΩ与100mΩ,每10,000件的批量单价分别为0.30与0.31美元。

20VP-通道FETKy NTLJF3117PT1G(100mΩ)经优化,适用于将3V到4V电池电压转换为微处理器使用的1.1V电压应用,每10,000件的批量单价为0.31美元。

30VN-通道NTLJS4159NT1G(35mΩ)与FETKy NTLJF4156NT1G(70 mΩ)经优化,适用于如白光LED背光的同步升压应用,每10,000件的批量单价分别为0.29与0.30美元。

30VN-通道双NTLJD4116NT1G(70 mΩ)经优化,适用于低电压端开关,例如照相机快门与闪光,每10,000件的批量单价为0.30美元。






我来评论 - 安森美MOSFET产品系列采用强化散热的超小型WDFN6封装
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X