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RF功率放大器行路艰难,GaN展露“希望之光”

上网日期: 2006年05月10日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:RF? 功率放大器? 无线基站? GaN?

ABI Research日前的一份关于无线基站RF功率放大器市场的研究报告指出:有三个因素将决定未来5年这一领域的发展情况。

根据ABI Research的无线基础设施研究主任Lance Wilson的看法,有三项开发是该领域所有供应商必须考虑的。

第一是市场合并。如ABI Research在2004年预测的那样,市场合并已经改变该产业面貌。价格下滑、成本压力增大和总市场需求下降,导致了商业竞争环境日益残酷。而且这种趋势还在继续。

第二,“该市场上玩家开始要面对总有效市场(TAM)减少的现实”,Wilson称,“根据其市场地位,各公司需要认真考虑他们是否还继续留这项业务。一些公司能否生存要看他们对产品多样化、开拓无线基础设施之外的市场的能力。”

一些供应商正试图通过提供更多垂直集成基站半导体产品线解决这一困难,但Wilson观察到,“由于竞争极其激烈的市场很小,这也相当艰难。”

最后,有一项技术看来将改变市场。GaN(Gallium Nitride)对于某些开关模式高频放大器是一个不错的选择。2004年,这类产品“刚刚露出曙光”,设计欠精确、GaN的可靠性和制造的方便性方面存有问题。然而,在过去的两年中,这些方面都取得了很大进步。到2011年,看似GaN将对LDMOS芯片的主导地位带来严峻威胁。






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