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瑞萨发布用于2.4GHz/5GHz双模无线局域网功放的高性能硅锗MMIC

上网日期: 2006年04月25日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Renesas? LAN? SiGe? MMIC?

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布,推出一种用于无线局域网(LAN)终端发射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz双模硅锗(SiGe)MMIC HA31010。样品将于2006年6月从日本开始供货。

HA31010的主要特性如下:

(1)2.4GHz/5GHz双模操作

在一个单芯片中集成了一个支持IEEE802.11b/g无线局域网标准的2.4GHz频带放大器电路,以及一个支持IEEE802.11a标准的5GHz频带放大器电路,以提供双模操作。与使用两个分立的2.4GHz和5GHz的瑞萨硅锗MMIC相比,它可以使安装面积减少大约40%。

(2)高增益和低电流耗散

HA31010可实现硅锗MMIC的高增益及业界最低的电流耗散水平,在使用2.4GHz频带时,其功率增益为28dB,电流耗散为130mA;在使用5GHz频带时,其功率增益为24dB,电流耗散为160mA。

(3)片上切换电路

利用易于实现的硅锗CMOS工艺将一个采用MOSFET的切换电路集成到HA31010 中。这有助于放大器电路在2.4GHz/5GHz频带之间的切换,并进行传输和接收切换,而无需增加一个外部切换器件。此外,其待机电流非常低,在0.1μA以下,这是其降低功耗的关键。

(4)片上输出功率检测器电路

为了有效地达到无线局域网设备的低功耗要求,就需要一种可实现通信所需最小输出功率的自动输出功率控制功能。HA31010集成了一个作为实现该功能传感器的输出功率检测器电路,有效地减少了元件数目,同时也缩小了占板面积更。

其他产品信息:

(1)HA31010的特性

2.4GHz频带和5GHz频带放大器电路以平行的方式集成在一个单个芯片中,可提供一种紧凑外形的2.4GHz/5GHz双模产品。

采用一种超精细硅锗CMOS工艺实现了高度集成,可对晶体管形成和电路布局进行优化,以减少可导致高频特性下降的寄生电容和寄生感应。这使之可以在2.4GHz时实现28dB的功率增益,4%的EVM的79mW(+19dBm)输出功率,以及130mA(使用3.3V电源电压)的电流耗散;在5.2GHz时,功率增益为24dB,4%的EVM的输出功率为63mW(+18dBm),电流耗散为160mA(使用3.3V电源电压)。

一个采用MOSFET的片上切换电路可以实现双频带放大器电路通/断控制,并简化频带切换和发送/接收切换的设计。

封装采用小型表面贴装的24引脚WQFN0404(瑞萨封装代码),尺寸为4.0mm×4.0mm×0.8mm。

(2)完全无铅封装

HA31010采用导电银浆材料以改善集成电路芯片裸片焊接的可靠性和传导率;此外,封装电极镀层采用了Sn-Bi(锡铋),以实现完全的无铅封装。

HA31010提供样品,目前样品价格(包括税金)为315日元(仅供参考)。






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