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KLA-Tencor新款电子光束检测平台适用65nm工艺

上网日期: 2006年03月22日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:KLA-Tencor? eS32? FEOL? BEOL?

为了加速在65nm和45nm半导体工艺节点的创新,KLA-Tencor推出新一代电子光束检测平台──eS32;该产品具有优良的细微电子与小型物理缺陷捕获能力,能协助晶圆厂将许多新的物质与装置架构整合至大量生产中。

eS32可应用在前端工艺(FEOL)与后端工艺(BEOL)中,针对可能影响良率的缺陷,进行侦测与解决。KLA-Tencor表示,该公司先前发表的eS30与eS31,在130nm和90nm的铜工艺BEOL良率挑战中,已扮演了重要的角色,而新一代的eS32则突破了65nm以下节点工艺的障碍,除提供业界认可的BEOL解决方案,还具备优良的成像条件,可侦测影响良率且不断增加的FEOL瑕疵种类。

KLA-Tencor指出,目前的电子光束检测系统已能够提供快速回馈,因此逻辑制造商已可找出并克服整合式镍硅化物(NiSi)中的FEOL问题,并将进入其中的硅过滤出来。此外,eS32的架构在设计时,即是要解决晶圆厂在不断创新以满足装置速度和功率消耗的考虑时,可能会遇到的良率问题挑战。

例如DRAM制造商为因应日益缩短的产品生命周期,必须积极采用新的工艺技术进行量产;由于这些制造商使用日益增加的小型电池,因此也面临了关键FEOL以及相互连接的挑战,这些业者得检测较高的高宽比填孔和电容器,并解决小型物理缺陷对良率产生的影响。eS32则可协助业者快速找出可能影响良率的缺陷。

KLA-Tencor表示,eS32在物理与电压对比敏感度方面有所提升,能以更快的时间找出根源;其沉积能量范围已经扩充,以增强细微的刻蚀不足接触缺陷的捕获能力,而其新设计的光束电流和扫描选项,则可用于电阻性高的物质,捕获与NiSi和过滤出来的硅整合有关、而且不断增加的细微深度缺陷。

在密集、高宽比架构中,新产品对于小型物理缺陷的捕获能力,并已经透过增加小型像点获得改善。而为了协助晶圆厂加速根源分析,并且找出及解决新的分类缺陷机制,eS32加入了新一代的binning算法,并支持KLA-Tencor的MicroLoop方法;该方法号称已经业界认可,能加快良率学习速度达50%。目前eS32已开始量产出货。






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