电子工程专辑
UBM China

富士通:车载市场将迎来ReRAM新时代

上网日期: 2006年02月24日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:NVSMW 2006? 非易失性半导体内存学会? 富士通? ReRAM?

在日前召开的“NVSMW 2006(第21届非易失性半导体内存学会)”上,富士通研究所表示要开始开发新型非易失性内存ReRAM(resistive RAM,电阻式内存)。富士通的目标是以车载领域为代表的混载闪存市场,力争2010年前后达到实用水平。2005年英特尔、美国Spansion和日本NTT据悉都已涉足ReRAM领域,开发日趋活跃,车载市场的ReRAM时代指日可待。

富士通表示,ReRAM能够满足混载领域所要求的耗电量、数据读取时间、单元面积,以及对工艺温度等特性的要求。比如耗电量为“工作电压在1.8V以下,且写入电流在100μA以下”。数据读取时间少于10ns,单元面积在8F2(F为设计标准)以下,工艺温度在400℃以下。而PRAM(相变内存)和MRAM(磁阻内存)等新型非挥发性内存,该公司认为很难达到上述要求。其次,ReRAM在高温环境下工作可靠性高,在混载用途中尤其在市场有望不断扩大的车载领域处于优势地位。此外,由于只需在逻辑LSI制造工艺中增加2枚掩膜,即可完成混载,因此能够降低工艺成本。此次,富士通推出了新的工作机理假说,以及记忆元件材料方案。

尽管富士通在面向IC卡的FeRAM(ferroelectric RAM,铁电内存)领域有过量产经历,但业界人士指出FeRAM很难将工艺提高到闪存替代产品所要求的65-45nm工艺水平。






我来评论 - 富士通:车载市场将迎来ReRAM新时代
评论:
*? 您还能输入[0]字
分享到: 新浪微博 qq空间
验证码:
????????????????
?

关注电子工程专辑微信
扫描以下二维码或添加微信号“eet-china”

访问电子工程专辑手机网站
随时把握电子产业动态,请扫描以下二维码

?

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。本期封面故事将会与您分享5G的关键技术发展,以及在4G网络上有怎样的进步。

?
?
有问题请反馈
推荐到论坛,赢取4积分X