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Atmel面向高速低功耗RF器件发布0.18μm CMOS技术

上网日期: 2005年11月16日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:atmel? rf cmos process technology? rf cmos工艺技术?

Atmel公司近日推出0.18μm的AT58?00 RF CMOS工艺技术,主要面向需要高速低功耗RF器件(如wlan、wimax及zigbee等应用)的ASIC代工用户。这种新工艺在200mm的晶圆上进行制造,可实现1.8V CMOS晶体管和大量阵列的无源元件,包括低容差的模拟聚乙烯电阻、N+和P+ S/D电阻以及多达4层的金属层,其RF焊盘有助于降低接口阻抗。

可选功能包括用于片上模拟微调或低密度数据存储的单聚乙烯EEPROM、高Q值低噪声金属-绝缘层-金属(MIM)电容以及P+/N-变容二极管等。同时片上厚铝制电感可实现阻抗匹配,以减少片外元件的数量。设人员可使用第5和第6金属层来简化信号的路由。此外还能集成3.3V的输入/输出接口,从而无需片外倍压器。

该公司的0.18μm的AT58?00 RF CMOS工艺技术现已面市。






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