电子工程专辑
UBM China

DRAMeXchange:中美需求趋强,NAND闪存价格走跌

上网日期: 2005年12月23日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友

关键字:内存? DRAMeXchange? DDR2? DDR?

内存市调机构DRAMeXchange日前表示,目前DDR2合约市场需求正持续上升,预计2006年在笔记型与桌上型计算机的应用比例将超过DDR,且此一趋势将持续到DDR2 667MHz在市场上普及。

DRAMeXchange表示,随着DRAM 12吋厂产能开出,预估DRAM供给的位成长率将会在2006年上半年趋缓。不过,自12月中以来,中国及美国市场需求有转强趋势,部份模块厂已开始搜购eTT (UTT)颗粒;Hynix及Micron也都收到较多DDR颗粒订单,甚至是DDR2 512Mb 533MHz也出现较高的需求。

该机构同时指出,相较于10月DRAM产出位10%的成长率10%,11月的成长率已逐渐趋缓至2.65%。10月DDR的产出(约当256Mb)为328.8百万颗,11月增加至367.4百万颗。同时,10月DDR2的产出(约当256Mb)为271.92百万颗,11月则减少为249.7百万颗。

这种变化主要来自于7月时DRAM价格上涨,导致DRAM的制造厂积极拉高12吋的产能,然而,当9月DRAM价格开始下跌的同时,部份的厂商便将产能移往NAND Flash或其它产品。另一项原因是当DDR2 512MB价格较DDR 512MB低10%时,DRAM制造商即开始调整其DDR与DDR2的产能分配比重所致。

闪存需求旺盛,东芝投资翻番NAND产量" target=_blank>NAND Flash