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东芝的GaN功率FET的性能超过GaAs FET

上网日期: 2005年09月19日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:toshiba? gallium nitride? gan? power field effect transistor?

东芝(Toshiba)公司推出的GaN功率fet的性能超过gaas FET,适用于陆地和卫星微波通信基站应用,6GHz下该产品的输出功率达174W,为业界最高功率水平。

该产品性能的提高在于优化了结晶层结构和芯片的结构,采用了4芯片整合的封装,以提高热性能,从而获得了GaAs FET 8倍的功率密度。

该功率FET采用了HEMT结构,在由GaN层和AlGaN层层叠而成的HEMT结构中,对GaN层和AlGaN层的杂质浓度和厚度进行了优化;对元件结构也进行了改进,为了能使其在高频下运行,对源极与漏极的电极间距离、栅极长度、施加电源电压的电极部分的形状进行了改进。







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