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瑞萨与日立开发出多级AG-AND闪存高速编程技术

上网日期: 2005年07月08日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:多级AG-AND闪存? 90纳米?

瑞萨科技与日立公司日前宣布,双方已共同开发出两种多级AG-AND闪存器件高速编程技术。多级AG-AND闪存器件是使用多级存储单元技术制造的高速数据存储器。

这种新的技术包括:1)将编程期间的热电子注入效率提高到20倍的存储单元操作技术;2)降低多级编程开销的多级高速编程电路技术。这种电路技术已经应用到瑞萨公司批量生产的4Gb AG-AND闪存(90纳米工艺技术)。

这两种新开发的技术有望成为制造90纳米以上AG-AND闪存中高速多级存储器的基础技术。







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