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瑞士初创公司嵌入式DRAM技术将对外提供授权

上网日期: 2005年02月03日 ?? 作者: Peter Clarke ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:绝缘硅工艺? silicon-on-insulator? SOI? 嵌入DRAM?

瑞士初创公司Innovative Silicon目前正在等待飞思卡尔设在美国的一家晶圆厂交付采用90纳米绝缘硅标准逻辑工艺实现的1Mb测试芯片,如果一切顺利,该公司采用单晶体管浮体(FB,floating-body)DRAM技术所取得的进展将得到证实。这种技术有望取代常规依赖单晶体管加一片电容的DRAM技术,并且其位单元(bit-cell)比Innovative Silicon所谓的Z-RAM技术的尺寸大两倍。

Z-RAM(Zero Capacitor RAM,零电容RAM)采用SOI器件具有的所谓浮体效应(floating-body effect),使基于单晶体管的单元结构超越晶体管加电容的结合。该技术可延展至22纳米设计规则。此外,与其它高密度存储技术不同,Z-RAM技术不需要额外的掩膜步骤或生僻材料。

Innovative新上任的首席执行官Mark-Eric Jones表示,该公司已决定通过授权商业模式探求嵌入存储应用。Jones表示嵌入存储器占据了当今复杂SoC裸片面积至少70%的空间,Z-RAM存储器和现有的SOI工艺将在性能和功率节省方面产出效益。







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