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Oki发布无线基站用氮化镓功率晶体管样品

上网日期: 2005年01月27日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Oki Electric? Gallium Nitride? 氮化镓? GaN-HEMT?

Oki Electric公司发布了一款氮化镓高电子迁移晶体管(GaN-HEMT)器件,即适用于无线基站的高频波动功率晶体管产品。

这种新型晶体管采用氮化镓材料制成,可降低3G移动电话、PHS和无线城域网(MAN)中无线电信基站的尺寸和功耗。GaN-HEMT可在比GaAs-HEMT高3到5倍的电压下工作,从而能实现更高的电压供电。此外,由于工作电流可降低为原来的1/3到1/5,外设元件的功耗得以降低,从而降低整个电路的功耗。因此,高输出无线和无线基站产品通常都采用GaN-HEMT器件。

Oki公司计划于2006年初发运上述器件的样品,并于2006年下半年开始批量生产。







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