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Fuji的功率MOSFET能有效降低75%关断损耗

上网日期: 2005年01月20日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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关键字:Fuji? Power MOSFET? 功率MOSFET? MOSFET?

Fuji Electronic推出的Power MOSFET Super FAP-G 500V~900V系列,在相同的导通阻抗值(RDS(on))下,可减小MOSFET封装,帮助研发设计人员设计出更省电与更小型的3C产品。

Super FAP-G是Fuji新推出的MOSFET系列,采用TO-220封装,可实现与传统TO-3P封装的MOSFET的相同需求(600V/0.75Ω与600V/0.65Ω)。

FAP-G 500V-900V全系列产品共有TO220F封装的2SK3469-01MR (500V/0.52ohm)、2SK3530-01MR (800V/1.9ohm);TO-247封装的2SK3522-01 (500V/0.26ohm);以及TO-3PF封装的2SK3528-01R (600V/0.37ohm)。

这些产品具有极低的闸电荷(Gate Charge,Qg)与关断损耗(Turn-off loss),与传统组件相比,Super FAP-G的Qg能降低60%,关断损耗能减低75%。适用领域包括SMPS、Adapter、LCD TV/Monitor与CRT monitor等消费性电子产品。

此外,Super FAP-G组件在瞬间高温下依然能正常运作。与传统组件相比,Super FAP-G系列减少20%的损耗,可降低温升,亦能减少散热片面积,降低整体设计成本,大幅提升电源系统效率。

除了Super FAP-G外,Fuji也透露将在2005年第三季发表Power MOSFET Super Junction (SJ)系列,SJ标榜低Gate Charge (Qg与Qgd)与极低的RDS(on)值。







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