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东芝推出薄型封装N沟道高级MOSFET系列

上网日期: 2005年01月11日 ?? 我来评论 字号:放大 | 缩小 分享到:sina weibo tencent weibo tencent weibo


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东芝美国电子元件公司(TAEC)近日推出八种N沟道高级MOSFET。这些器件提高了中等功率直流转换器的性能,并以薄型封装为特点,其电压分别为40V、60V、100V、150V、200V和250V。

此次推出的新产品中,40V和60V器件采用薄型封装,厚度仅为标准SOP-8的一半。它们采用东芝公司的超高速U-MOS III工艺技术,使额定电流提高了约200%,功耗是标准SOP-8器件的50%,两款40V器件的编号分别为TPCA8014-H和TPCA8015-H。其中,TPCA8014-H的电流为30A,最大开态电阻(RDS(on))为9mΩ(Vgs = 10),典型门电荷(QSW)为7.4nC,开关速度(下降时间)为4ns;而TPCA8015-H的电流达35A,最大RDS(on)为6.8mΩ,典型QSW为12.3nC。TAEC的TPCA8016-H是60V器件,最大漏电流为25A。RDS(on)为21mΩ,QSW为6.6nC。

100V器件使用π-MOS VII技术,编号为TPCA8006-H和TPCA8007-H。其中,TPCA8006-H的电流达18A,RDS(on)为67mΩ,QSW为6.9nC,开关速度为2ns。TPCA8007-H为大电流直流转换器,额定电流为20A,RDS(on)为47mΩ,QSW为8.5nC。

150-、200V和250V器件采用π-MOS V MACH II技术,150V器件标号为TPCA8009-H,电流达7A,RDS(on)为350mΩ,QSW为3.7nC,开关速度达13ns。200V器件的标号为TPCA8010-H,其电流为5.5A,开态电阻为450mΩ,QSW为3.7nC,开关速度为13ns,250V器件的编号为TPCA8008-H,各项指标分别为4A、580mΩ、3.7nC和13ns。

东芝公司还推出TSSOP高级小型封装技术,其大小为3.6×4.4 mm,高0.75mm,比SOP高级封装薄21%,与工业标准SOP-8封装相比,缩小了53%。这种新封装比SOP-8封装的UHS U-MOS III器件的功耗降低了20%。首个采用TSSOP高级封装的器件为TPCM8001-H,是30V、20A MOSFET,适用于空间有限的直流转换器,可用于移动计算机和便携式电子设备。

所有器件均采用无铅终端。TPCA8014-H和TPCA8015-H售价分别为50美分和60美分。150V TPCA8009-H售价45美分,200V TPCA8010-H售价为45美分,250V TCPA8008-H为60美分。TPCM8001-H TSSOP高级功率MOSFET样品每片售价为45美分。以上价格仅供参考。所有产品不久将投入量产。







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